曝光，简单点说，就是通过光照射光阻，使其感光。然后通过显影工艺将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。而整个光刻工艺，则是将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
曝光机的原理
谈到曝光，那必不可少就要谈到曝光机。目前大部分曝光设备采用的是非接触式曝光。原理是紫外光经过MASK对涂有光刻胶的ITO玻璃曝光，曝光后的玻璃经显影产生与mask板相同的图案。
为了在不改变曝光系统的前提下提高NA而改善R值, 可采取的方法有:
（1） 改变接近式曝光机中镜头和光刻胶的介质, 将其从空气换成其他材料。通过该方式改变NA值可以是的193 nm技术在满足45 nm工艺节点制程要求的同时, 进一步提高到28 nm制程。
（2）如果将接近式配合二重曝光相想结合, 可以进一步将制程节点缩小到22 nm, 且工艺节点缩小到10 nm。
显示制造中的曝光技术
在TFT-LCD的生产中, 根据制作原件的不同其采取的曝光方式也不相同:
• CF: 主要采取接近式曝光, 其掩模板与基板间距为10 μm左右。因为光通过掩模板后会有干涉效应, 则此种方法形成的图案解析度不高。而AMOLED，目前LGD的WOLED会采用CF。
• TFT曝光时, 光通过透镜或面镜将掩模板图案投影到光刻胶上的同时, 其基板主要采取步进式或扫描式移动, 以完成整版曝光。到AMOLED的上相差不大，只是LTPS会多几道光罩而已。
而现在用于Display生产的主流曝光技术为:
• 透镜扫描方式是一种Step & Scan的方式, 采用该方式的的曝光机有Nikon FX 系列, 其解析度为L/S 3.5 um。
• 反射镜投影曝光机则主要由Canon FX 采用。其TFT使用机器的解析度L/S 为3.5 um, 而CF用的机器则有4 um和6 um两种。
• Proximity式机器主要为NSK和DECO采用。其解析度为6 – 8 um, 主要用于CF的制作。
